光刻過程,其主要工序如下。
1.涂膠
把光致抗蝕劑(俗稱光刻膠)涂敷在半導體基片的氧化膜上的過程稱為涂膠。光刻膠可分為正性膠和負性膠,在顯影圖中被光照部分的膠層被去除,形成“窗口”,為負性膠,反之為正性膠。涂膠要求薄厚均勻,常用的涂膠方法有旋轉(離心)甩涂、浸漬、噴涂和印刷等,有專門設備。
2.曝光
利用光源發出的光束,經工作掩膜在光致抗蝕劑涂層成象,即為曝光。這種曝光稱為投影曝光,又稱為復印。常用的光源有電子束、X射線、遠紫外線(準分子激光)、離子束等。從投影方式上可分為接觸式、接近式反射式等。上述的原版就是用于投影曝光的。還有一種曝光是將光束聚焦形成細小束斑,通過數控掃描,在光致抗蝕劑涂層上繪制圖形,稱為掃描曝光,又稱為寫圖。這種曝光不需預制工作原版,但要設計編制掃描軌跡程序。常用的光源有電子束、離子束上述兩種曝光方式統稱為哪光
3.顯影與烘片
(1)顯影曝光后的光致抗蝕劑,其分子結構產生化學變化,在特定溶劑或水中的溶解度也不同,利用曝光區和非曝光區的這一差異,可在特定溶劑中把曝光圖形呈現出來,這就是顯影。
(2)烘片有些光致抗蝕劑在顯影干燥后,要進行200℃~250℃的高溫處理,使它發生熱聚合作用,以提高強度,稱為烘片
4.刻蝕
利用化學或物理方法,將沒有光致抗蝕劑部分的氧化膜去除,稱之為刻蝕。刻蝕的方法很多,有化學刻蝕、離子刻蝕、電解刻蝕等
刻蝕不僅是沿厚度方向,而且也可沿橫向進行,稱之為側面刻蝕。若以表示側面刻蝕量,以h表示刻蝕深度,則刻蝕系數=h/。側面刻蝕越小,刻蝕系數越大,制品尺寸精度就越高,精度穩定性也越***。由于有側面刻蝕現象,使刻蝕成的窗口比光致抗蝕劑窗口大，因此在設計時要進行修正。
5.剝膜與檢查
(1)剝膜 用剝膜液去除光致搞蝕劑的處理稱為剝膜。
(2)檢查 剝膜后，將工件洗凈、修整，進行外觀、線條尺寸、間隔尺寸、斷面形狀、物理性能、電學性能等質量檢查。
