金屬表面拋光之半導體加工技術的核心是光刻( photo lithography),基本工藝方法是沉積與刻蝕的巧妙結合基于這種加工方法的微型機械的復雜程度的概念有別于傳統的機械,即既不依賴所含部件的數量,也不取決于每個部件設計的復雜程度,而是與制作過程中所需的加工工序相關。光刻的基本過程如圖7-1所示,其基本工序包括曝光、顯影和刻蝕。在光刻加工之前預先設計制作出掩模板,光刻掩模板決定后續加工的圖形。加工時,***先在基板上沉積成膜材料甩涂感光膠( photo register)并進行曝光。然后顯影,曝光部分溶解而光線未照射到的部分保留的感光膠稱為正膠,暴光部分圖形保留而光線未照射到的部分顯影溶解的感光膠稱為負膠。用顯影的感光膠圖形作為刻蝕掩膜( etching mask),就可以使其下面的材料受刻燭掩膜保護的部分保留下來,有選擇地溶解、除去基板上沉積的成膜材料甚至基板材料。再去除刻蝕掩膜層即可得到所期望加工的結構。
用于微型機械制作的金屬表面拋光之半導體加工技術包括氧化、摻雜、化學和物理氣相沉積、金屬真空鍍膜等添加加工,和干法刻蝕(等離子體刻蝕、反應離子刻蝕)、濕法刻蝕(等向性刻蝕、異向性刻蝕、摻雜自停止刻蝕、犧牲層刻蝕)等去除加工方法。又分類為以硅基板整體厚度為加工對象的體硅微加工法和在基板表面上進行的表面微加工法。
